FDB6670AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDB6670AS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 62.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 62 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 28 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDB6670AS

FDB6670AS Datasheet (PDF)

..1. Size:784K fairchild semi
fdb6670as.pdf

May 2008FDP6670AS/FDB6670AS tm30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 31 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a

6.1. Size:156K fairchild semi
fdp6670al fdb6670al.pdf

May 2003FDP6670AL/FDB6670ALN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET has been 80 A, 30 V RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC elect

9.1. Size:83K fairchild semi
fdb6690s.pdf

SEPTEMBER 2001 FDP6690S/FDB6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 21 A, 30 V. RDS(ON) = 15.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC RDS(ON) = 23.0 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing

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Liste

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