Справочник MOSFET. FDB6670AS

 

FDB6670AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB6670AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для FDB6670AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB6670AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:784K  fairchild semi
fdb6670as.pdfpdf_icon

FDB6670AS

May 2008FDP6670AS/FDB6670AS tm30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 31 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a

 6.1. Size:156K  fairchild semi
fdp6670al fdb6670al.pdfpdf_icon

FDB6670AS

May 2003FDP6670AL/FDB6670ALN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET has been 80 A, 30 V RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC elect

 9.1. Size:83K  fairchild semi
fdb6690s.pdfpdf_icon

FDB6670AS

SEPTEMBER 2001 FDP6690S/FDB6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 21 A, 30 V. RDS(ON) = 15.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC RDS(ON) = 23.0 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing

Другие MOSFET... FDB2670 , FDB3672 , FDB42AN15A0 , FDB44N25TM , FDB52N20TM , FDB5645 , FDB5800F085 , FDB6021P , 18N50 , FDB6690S , FDB7030LL86Z , FDB8132 , FDB8160 , FDB8444TS , FDB86563F085 , FDB8874 , FDB8876 .

History: SI9945DY | WML80R720S | WMM037N10HGS

 

 
Back to Top

 


 
.