FDB6670AS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDB6670AS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 62 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 440 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO-263AB
FDB6670AS Datasheet (PDF)
fdb6670as.pdf
May 2008FDP6670AS/FDB6670AS tm30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 31 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a
fdp6670al fdb6670al.pdf
May 2003FDP6670AL/FDB6670ALN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET has been 80 A, 30 V RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC elect
fdb6690s.pdf
SEPTEMBER 2001 FDP6690S/FDB6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 21 A, 30 V. RDS(ON) = 15.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC RDS(ON) = 23.0 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
