FDB86563F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDB86563F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2355 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
Encapsulados: D2-PAK
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FDB86563F085 datasheet
fdb86563 f085.pdf
December 2014 FDB86563_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 110 A, 1.8 m Features Typical RDS(on) = 1.6 m at VGS = 10V, ID = 80 A D D Typical Qg(tot) = 126 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 G Applications G S Automotive Engine Control TO-263 S PowerTrain Management FDB SERIES Solenoid and Motor Drivers
fdb86563-f085.pdf
FDB86563-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 110 A, 1.8 m D D Features Typical RDS(on) = 1.6 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 126 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability G RoHS Compliant G S Qualified to AEC Q101 TO-263 S Applications FDB SERIES Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter
fdb86566-f085.pdf
FDB86566-F085 D D N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 110 A, 2.7 m G Features G S Typical RDS(on) = 2.2 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 80 nC at VGS = 10V, ID = 80 A TO-263 S UIS Capability FDB SERIES RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/
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History: FQP2N30
🌐 : EN ES РУ
Liste
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