FDB86563F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDB86563F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 126 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2355 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
Paquete / Cubierta: D2-PAK
Búsqueda de reemplazo de FDB86563F085 MOSFET
FDB86563F085 Datasheet (PDF)
fdb86563 f085.pdf

December 2014FDB86563_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60 V, 110 A, 1.8 m Features Typical RDS(on) = 1.6 m at VGS = 10V, ID = 80 A DD Typical Qg(tot) = 126 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101GApplications GS Automotive Engine ControlTO-263S PowerTrain ManagementFDB SERIES Solenoid and Motor Drivers
fdb86563-f085.pdf

FDB86563-F085N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 110 A, 1.8 mDDFeatures Typical RDS(on) = 1.6 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 126 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS CapabilityG RoHS CompliantGS Qualified to AEC Q101TO-263SApplicationsFDB SERIES Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter
fdb86566-f085.pdf

FDB86566-F085DDN-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 110 A, 2.7 mGFeaturesGS Typical RDS(on) = 2.2 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 80 nC at VGS = 10V, ID = 80 ATO-263S UIS CapabilityFDB SERIES RoHS Compliant Qualified to AEC Q101Applications Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/
fdb86569-f085.pdf

MOSFET N-Channel,POWERTRENCH)60 V, 80 A, 5.6 mWFDB86569-F085Featureswww.onsemi.com Typical RDS(on) = 4.4 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 35 nC at VGS = 10 V, ID = 80 AD UIS Capability These Device is Pb-Free and is RoHS Compliant Qualified to AEC-Q101GApplications Automotive Engine ControlS PowerTrain ManagementD2PAK-3
Otros transistores... FDB5800F085 , FDB6021P , FDB6670AS , FDB6690S , FDB7030LL86Z , FDB8132 , FDB8160 , FDB8444TS , 13N50 , FDB8874 , FDB8876 , FDB8878 , FDBL0110N60 , FDBL0150N60 , FDBL0150N80 , FDBL0210N80 , FDBL0330N80 .
History: RU5H18Q
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