FDC645NF095 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDC645NF095
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 227 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDC645NF095

FDC645NF095 Datasheet (PDF)

7.1. Size:78K fairchild semi
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April 2001 FDC645N N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 5.5 A, 30 V. RDS(ON) = 30 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 26 m @ VGS = 10 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

7.2. Size:76K fairchild semi
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7.3. Size:191K onsemi
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Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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Liste

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