FDC645NF095 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDC645NF095
Маркировка: ..645
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 227 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm
Тип корпуса: SSOT-6
Аналог (замена) для FDC645NF095
FDC645NF095 Datasheet (PDF)
fdc645n.pdf
April 2001 FDC645N N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 5.5 A, 30 V. RDS(ON) = 30 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 26 m @ VGS = 10 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for
fdc645n f095.pdf
April 2001 FDC645N N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 5.5 A, 30 V. RDS(ON) = 30 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 26 m @ VGS = 10 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for
fdc645n.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
