FDC645NF095. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDC645NF095

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SSOT-6

Аналог (замена) для FDC645NF095

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC645NF095 даташит

 7.1. Size:78K  fairchild semi
 fdc645n.pdf pdf_icon

FDC645NF095

 7.2. Size:76K  fairchild semi
 fdc645n f095.pdf pdf_icon

FDC645NF095

 7.3. Size:191K  onsemi
 fdc645n.pdf pdf_icon

FDC645NF095

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDC3512F095, FDC3612F095, FDC3616N, FDC5612F095, FDC6020C, FDC602PF095, FDC633NF095, FDC640PF095, IRLB3034, FDC697P, FDC697PF077, FDC699P, FDC699PF077, FDC796N, FDC796NF077, FDD044AN03L, FDD068AN03L