FDC796N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDC796N
Código: ..796
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 12.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V
Tiempo de elevación (tr): 3.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 342 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Empaquetado / Estuche: SSOT-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDC796N
FDC796N Datasheet (PDF)
1.1. fdc796n fdc796n f077.pdf 
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February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed • 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for • High
1.2. fdc796n.pdf Size:185K _fairchild_semi
February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench? MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m? @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m? @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High performance
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