FDC796N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDC796N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 342 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: SSOT-6

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FDC796N datasheet

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FDC796N

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

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FDC796N

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

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