FDC796N Todos los transistores

 

FDC796N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDC796N

Código: ..796

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Tiempo de elevación (tr): 3.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 342 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Empaquetado / Estuche: SSOT-6

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FDC796N Datasheet (PDF)

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 February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed • 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for • High

1.2. fdc796n.pdf Size:185K _fairchild_semi

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February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench? MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m? @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m? @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High performance

 

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