FDC796N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDC796N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 342 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SSOT-6

Аналог (замена) для FDC796N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC796N даташит

 ..1. Size:185K  fairchild semi
 fdc796n.pdf pdf_icon

FDC796N

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

 ..2. Size:184K  fairchild semi
 fdc796n fdc796n f077.pdf pdf_icon

FDC796N

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High

Другие IGBT... FDC602PF095, FDC633NF095, FDC640PF095, FDC645NF095, FDC697P, FDC697PF077, FDC699P, FDC699PF077, EMB04N03H, FDC796NF077, FDD044AN03L, FDD068AN03L, FDD107AN06LA0, FDD10N20LZTM, FDD14AN06LA0, FDD16AN08A0NF054, FDD20AN06A0