Справочник MOSFET. FDC796N

 

FDC796N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDC796N

Маркировка: ..796

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 3.8 ns

Выходная емкость (Cd): 342 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm

Тип корпуса: SSOT-6

Аналог (замена) для FDC796N

 

FDC796N Datasheet (PDF)

1.1. fdc796n fdc796n f077.pdf Size:184K _upd-mosfet

FDC796N
FDC796N

 February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed • 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for • High

1.2. fdc796n.pdf Size:185K _fairchild_semi

FDC796N
FDC796N

February 2004 FDC796N 30V N-Channel PowerTrench? MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9 m? @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 12 m? @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High performance

 

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

 
Back to Top