FDFC2P100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDFC2P100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SSOT-6

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FDFC2P100 datasheet

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FDFC2P100

October 2006 FDFC2P100 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V, -3A, 150m Features General Description Max rDS(on) = 150m at VGS = -4.5V, ID = -3.0A The FDFC2P100 combine the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low Max rDS(on) = 200m at VGS = -2.5V, ID = -2.2A forward voltage drop Schottky barrier recti

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