FDFC2P100 Todos los transistores

 

FDFC2P100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDFC2P100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDFC2P100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  fairchild semi
 fdfc2p100.pdf pdf_icon

FDFC2P100

October 2006FDFC2P100Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode-20V, -3A, 150mFeatures General Description Max rDS(on) = 150m at VGS = -4.5V, ID = -3.0AThe FDFC2P100 combine the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low Max rDS(on) = 200m at VGS = -2.5V, ID = -2.2Aforward voltage drop Schottky barrier recti

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History: NCE65N900K | SM6129NSU | HFU5N50U | QM3016N3 | 3090K | PD1303YVS | CPH3341

 

 
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