Справочник MOSFET. FDFC2P100

 

FDFC2P100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDFC2P100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SSOT-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFC2P100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  fairchild semi
 fdfc2p100.pdf pdf_icon

FDFC2P100

October 2006FDFC2P100Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode-20V, -3A, 150mFeatures General Description Max rDS(on) = 150m at VGS = -4.5V, ID = -3.0AThe FDFC2P100 combine the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low Max rDS(on) = 200m at VGS = -2.5V, ID = -2.2Aforward voltage drop Schottky barrier recti

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFBE30 | AP2306CGN-HF | PK5C8EA | SDFE22JAA | KDS9952A | AM3428N | DH100P40F

 

 
Back to Top

 


 
.