Справочник MOSFET. FDFC2P100

 

FDFC2P100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDFC2P100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SSOT-6
 

 Аналог (замена) для FDFC2P100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFC2P100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  fairchild semi
 fdfc2p100.pdf pdf_icon

FDFC2P100

October 2006FDFC2P100Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode-20V, -3A, 150mFeatures General Description Max rDS(on) = 150m at VGS = -4.5V, ID = -3.0AThe FDFC2P100 combine the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low Max rDS(on) = 200m at VGS = -2.5V, ID = -2.2Aforward voltage drop Schottky barrier recti

Другие MOSFET... FDD7N25LZTM , FDD7N60NZTM , FDD8580 , FDD8586 , FDD86367F085 , FDD86369F085 , FDD8750 , FDD9411F085 , SPP20N60C3 , FDFC3N108 , FDFM2N111 , FDFM2P110 , FDFMA2N028Z , FDFMA2P029Z , FDFMA2P853 , FDFMA2P853T , FDFMA2P857 .

History: CS7456 | STF13N60M2 | SIHFD014

 

 
Back to Top

 


 
.