FDFC2P100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDFC2P100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SSOT-6

Аналог (замена) для FDFC2P100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFC2P100 даташит

 ..1. Size:315K  fairchild semi
 fdfc2p100.pdf pdf_icon

FDFC2P100

October 2006 FDFC2P100 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V, -3A, 150m Features General Description Max rDS(on) = 150m at VGS = -4.5V, ID = -3.0A The FDFC2P100 combine the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low Max rDS(on) = 200m at VGS = -2.5V, ID = -2.2A forward voltage drop Schottky barrier recti

Другие IGBT... FDD7N25LZTM, FDD7N60NZTM, FDD8580, FDD8586, FDD86367F085, FDD86369F085, FDD8750, FDD9411F085, K3569, FDFC3N108, FDFM2N111, FDFM2P110, FDFMA2N028Z, FDFMA2P029Z, FDFMA2P853, FDFMA2P853T, FDFMA2P857