FDFC3N108 Todos los transistores

 

FDFC3N108 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDFC3N108
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-6
 

 Búsqueda de reemplazo de FDFC3N108 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDFC3N108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  fairchild semi
 fdfc3n108.pdf pdf_icon

FDFC3N108

January 2004 FDFC3N108 N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This N-Channel 1.8V specified MOSFET uses 3 A, 20 V RDS(ON) = 70 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 95 m @ VGS = 2.5 V It is combined with a low forward drop Schottky that is isolated from the MOSFET, pro

Otros transistores... FDD7N60NZTM , FDD8580 , FDD8586 , FDD86367F085 , FDD86369F085 , FDD8750 , FDD9411F085 , FDFC2P100 , 8205A , FDFM2N111 , FDFM2P110 , FDFMA2N028Z , FDFMA2P029Z , FDFMA2P853 , FDFMA2P853T , FDFMA2P857 , FDFMA2P859T .

History: MPSA80M250B | HM16N65F | AOSN32128

 

 
Back to Top

 


 
.