Справочник MOSFET. FDFC3N108

 

FDFC3N108 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDFC3N108
   Маркировка: ..108
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.96 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4.9 nC
   Время нарастания (tr): 7 ns
   Выходная емкость (Cd): 85 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SSOT-6

 Аналог (замена) для FDFC3N108

 

 

FDFC3N108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  fairchild semi
 fdfc3n108.pdf

FDFC3N108 FDFC3N108

January 2004 FDFC3N108 N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This N-Channel 1.8V specified MOSFET uses 3 A, 20 V RDS(ON) = 70 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 95 m @ VGS = 2.5 V It is combined with a low forward drop Schottky that is isolated from the MOSFET, pro

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZXM62N02E6TA

 

 
Back to Top