Справочник MOSFET. FDFC3N108

 

FDFC3N108 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDFC3N108
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SSOT-6
 

 Аналог (замена) для FDFC3N108

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFC3N108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  fairchild semi
 fdfc3n108.pdf pdf_icon

FDFC3N108

January 2004 FDFC3N108 N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This N-Channel 1.8V specified MOSFET uses 3 A, 20 V RDS(ON) = 70 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 95 m @ VGS = 2.5 V It is combined with a low forward drop Schottky that is isolated from the MOSFET, pro

Другие MOSFET... FDD7N60NZTM , FDD8580 , FDD8586 , FDD86367F085 , FDD86369F085 , FDD8750 , FDD9411F085 , FDFC2P100 , 8205A , FDFM2N111 , FDFM2P110 , FDFMA2N028Z , FDFMA2P029Z , FDFMA2P853 , FDFMA2P853T , FDFMA2P857 , FDFMA2P859T .

History: AP4511GM | SLH60R080SS | TSF840MR | 2SK2084STL-E | LNC06R062 | IRFY340CM

 

 
Back to Top

 


 
.