Справочник MOSFET. FDFC3N108

 

FDFC3N108 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDFC3N108
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SSOT-6

 Аналог (замена) для FDFC3N108

 

 

FDFC3N108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  fairchild semi
 fdfc3n108.pdf

FDFC3N108 FDFC3N108

January 2004 FDFC3N108 N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This N-Channel 1.8V specified MOSFET uses 3 A, 20 V RDS(ON) = 70 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 95 m @ VGS = 2.5 V It is combined with a low forward drop Schottky that is isolated from the MOSFET, pro

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQPF13N06L

 

 
Back to Top