FDFME2P823ZT Todos los transistores

 

FDFME2P823ZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDFME2P823ZT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.142 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET1.6X1.6THIN
 

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FDFME2P823ZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  fairchild semi
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FDFME2P823ZT

July 2010FDFME2P823ZTIntegrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -2.6 A, 142 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 142 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 Afor the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 213 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.8 Aultra-portable appl

 9.1. Size:268K  fairchild semi
 fdfme3n311zt.pdf pdf_icon

FDFME2P823ZT

July 2010FDFME3N311ZTIntegrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30 V, 1.8 A, 299 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 299 m at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 Afor a boost topology in cellular handset and other ultra-portable Max rDS(on) = 410 m at VGS = 2.5 V, ID = 1.3 Aapplications. It fe

Otros transistores... FDFM2P110 , FDFMA2N028Z , FDFMA2P029Z , FDFMA2P853 , FDFMA2P853T , FDFMA2P857 , FDFMA2P859T , FDFMA3N109 , AON7506 , FDFME3N311ZT , FDFMJ2P023Z , FDFS2P102 , FDFS2P102A , FDFS2P103 , FDFS2P103A , FDFS2P106A , FDFS2P753AZ .

History: SE4060 | PMPB12UNEA | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | IRFU1N60A

 

 
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