FDFME2P823ZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDFME2P823ZT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.142 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET1.6X1.6THIN

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FDFME2P823ZT Datasheet (PDF)

..1. Size:262K fairchild semi
fdfme2p823zt.pdf

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9.1. Size:268K fairchild semi
fdfme3n311zt.pdf

July 2010FDFME3N311ZTIntegrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30 V, 1.8 A, 299 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 299 m at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 Afor a boost topology in cellular handset and other ultra-portable Max rDS(on) = 410 m at VGS = 2.5 V, ID = 1.3 Aapplications. It fe

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Liste

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