FDFME2P823ZT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDFME2P823ZT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.142 Ohm

Encapsulados: MICROFET1.6X1.6THIN

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FDFME2P823ZT datasheet

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FDFME2P823ZT

July 2010 FDFME2P823ZT Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -2.6 A, 142 m Features General Description This device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 142 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 A for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 213 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.8 A ultra-portable appl

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FDFME2P823ZT

July 2010 FDFME3N311ZT Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30 V, 1.8 A, 299 m Features General Description This device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 299 m at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A for a boost topology in cellular handset and other ultra-portable Max rDS(on) = 410 m at VGS = 2.5 V, ID = 1.3 A applications. It fe

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