Справочник MOSFET. FDFME2P823ZT

 

FDFME2P823ZT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDFME2P823ZT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.142 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET1.6X1.6THIN

 Аналог (замена) для FDFME2P823ZT

 

 

FDFME2P823ZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  fairchild semi
 fdfme2p823zt.pdf

FDFME2P823ZT FDFME2P823ZT

July 2010FDFME2P823ZTIntegrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -2.6 A, 142 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 142 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 Afor the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 213 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.8 Aultra-portable appl

 9.1. Size:268K  fairchild semi
 fdfme3n311zt.pdf

FDFME2P823ZT FDFME2P823ZT

July 2010FDFME3N311ZTIntegrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30 V, 1.8 A, 299 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 299 m at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 Afor a boost topology in cellular handset and other ultra-portable Max rDS(on) = 410 m at VGS = 2.5 V, ID = 1.3 Aapplications. It fe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top