Справочник MOSFET. FDFME2P823ZT

 

FDFME2P823ZT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDFME2P823ZT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.142 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET1.6X1.6THIN
 

 Аналог (замена) для FDFME2P823ZT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFME2P823ZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  fairchild semi
 fdfme2p823zt.pdf pdf_icon

FDFME2P823ZT

July 2010FDFME2P823ZTIntegrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -2.6 A, 142 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 142 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 Afor the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 213 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.8 Aultra-portable appl

 9.1. Size:268K  fairchild semi
 fdfme3n311zt.pdf pdf_icon

FDFME2P823ZT

July 2010FDFME3N311ZTIntegrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30 V, 1.8 A, 299 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 299 m at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 Afor a boost topology in cellular handset and other ultra-portable Max rDS(on) = 410 m at VGS = 2.5 V, ID = 1.3 Aapplications. It fe

Другие MOSFET... FDFM2P110 , FDFMA2N028Z , FDFMA2P029Z , FDFMA2P853 , FDFMA2P853T , FDFMA2P857 , FDFMA2P859T , FDFMA3N109 , AON7506 , FDFME3N311ZT , FDFMJ2P023Z , FDFS2P102 , FDFS2P102A , FDFS2P103 , FDFS2P103A , FDFS2P106A , FDFS2P753AZ .

History: NCE60H15AD | STN442D | IPU95R450P7 | CS7N70F | GSM4998W | IXTQ26N50P

 

 
Back to Top

 


 
.