FDFME3N311ZT Todos los transistores

 

FDFME3N311ZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDFME3N311ZT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET1.6X1.6THIN
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDFME3N311ZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  fairchild semi
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FDFME3N311ZT

July 2010FDFME3N311ZTIntegrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30 V, 1.8 A, 299 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 299 m at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 Afor a boost topology in cellular handset and other ultra-portable Max rDS(on) = 410 m at VGS = 2.5 V, ID = 1.3 Aapplications. It fe

 9.1. Size:262K  fairchild semi
 fdfme2p823zt.pdf pdf_icon

FDFME3N311ZT

July 2010FDFME2P823ZTIntegrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -2.6 A, 142 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 142 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 Afor the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 213 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.8 Aultra-portable appl

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History: 2SK2931 | FQPF13N50C

 

 
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