FDFME3N311ZT - аналоги и даташиты транзистора

 

FDFME3N311ZT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDFME3N311ZT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.299 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET1.6X1.6THIN
 

 Аналог (замена) для FDFME3N311ZT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFME3N311ZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  fairchild semi
 fdfme3n311zt.pdf pdf_icon

FDFME3N311ZT

July 2010FDFME3N311ZTIntegrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30 V, 1.8 A, 299 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 299 m at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 Afor a boost topology in cellular handset and other ultra-portable Max rDS(on) = 410 m at VGS = 2.5 V, ID = 1.3 Aapplications. It fe

 9.1. Size:262K  fairchild semi
 fdfme2p823zt.pdf pdf_icon

FDFME3N311ZT

July 2010FDFME2P823ZTIntegrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -2.6 A, 142 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 142 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 Afor the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 213 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.8 Aultra-portable appl

Другие MOSFET... FDFMA2N028Z , FDFMA2P029Z , FDFMA2P853 , FDFMA2P853T , FDFMA2P857 , FDFMA2P859T , FDFMA3N109 , FDFME2P823ZT , AON7506 , FDFMJ2P023Z , FDFS2P102 , FDFS2P102A , FDFS2P103 , FDFS2P103A , FDFS2P106A , FDFS2P753AZ , FDFS2P753Z .

History: IPN60R1K5CE | HAT2197WP | QS5U21 | QS5U23 | QS5U33 | FQP9N25C | HAT2171H

 

 
Back to Top

 


 
.