FDFME3N311ZT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDFME3N311ZT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.299 Ohm

Тип корпуса: MICROFET1.6X1.6THIN

Аналог (замена) для FDFME3N311ZT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFME3N311ZT даташит

 ..1. Size:268K  fairchild semi
 fdfme3n311zt.pdf pdf_icon

FDFME3N311ZT

July 2010 FDFME3N311ZT Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30 V, 1.8 A, 299 m Features General Description This device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 299 m at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A for a boost topology in cellular handset and other ultra-portable Max rDS(on) = 410 m at VGS = 2.5 V, ID = 1.3 A applications. It fe

 9.1. Size:262K  fairchild semi
 fdfme2p823zt.pdf pdf_icon

FDFME3N311ZT

July 2010 FDFME2P823ZT Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -2.6 A, 142 m Features General Description This device is designed specifically as a single package solution Max rDS(on) = 142 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 A for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 213 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.8 A ultra-portable appl

Другие IGBT... FDFMA2N028Z, FDFMA2P029Z, FDFMA2P853, FDFMA2P853T, FDFMA2P857, FDFMA2P859T, FDFMA3N109, FDFME2P823ZT, AON6380, FDFMJ2P023Z, FDFS2P102, FDFS2P102A, FDFS2P103, FDFS2P103A, FDFS2P106A, FDFS2P753AZ, FDFS2P753Z