FDFMJ2P023Z Todos los transistores

 

FDFMJ2P023Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDFMJ2P023Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.112 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75MICROFET
 

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FDFMJ2P023Z Datasheet (PDF)

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FDFMJ2P023Z

August 2007FDFMJ2P023ZtmIntegrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 20V, 2.9A, 112mFeatures General DescriptionMOSFET This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9Aultra-portable applications. It features a MOSFET with l

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History: P6402FMG | MCH6662

 

 
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