FDFMJ2P023Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDFMJ2P023Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.112 Ohm

Encapsulados: SC-75MICROFET

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FDFMJ2P023Z datasheet

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FDFMJ2P023Z

August 2007 FDFMJ2P023Z tm Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 20V, 2.9A, 112m Features General Description MOSFET This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9A ultra-portable applications. It features a MOSFET with l

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