FDFMJ2P023Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDFMJ2P023Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm

Тип корпуса: SC-75MICROFET

Аналог (замена) для FDFMJ2P023Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFMJ2P023Z даташит

 ..1. Size:292K  fairchild semi
 fdfmj2p023z.pdf pdf_icon

FDFMJ2P023Z

August 2007 FDFMJ2P023Z tm Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 20V, 2.9A, 112m Features General Description MOSFET This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9A ultra-portable applications. It features a MOSFET with l

Другие IGBT... FDFMA2P029Z, FDFMA2P853, FDFMA2P853T, FDFMA2P857, FDFMA2P859T, FDFMA3N109, FDFME2P823ZT, FDFME3N311ZT, IRF530, FDFS2P102, FDFS2P102A, FDFS2P103, FDFS2P103A, FDFS2P106A, FDFS2P753AZ, FDFS2P753Z, FDFS6N303