Справочник MOSFET. FDFMJ2P023Z

 

FDFMJ2P023Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDFMJ2P023Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
   Тип корпуса: SC-75MICROFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFMJ2P023Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  fairchild semi
 fdfmj2p023z.pdf pdf_icon

FDFMJ2P023Z

August 2007FDFMJ2P023ZtmIntegrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 20V, 2.9A, 112mFeatures General DescriptionMOSFET This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9Aultra-portable applications. It features a MOSFET with l

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HSSK6303 | IRC8405 | IXFT150N17T2 | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.