Справочник MOSFET. FDFMJ2P023Z

 

FDFMJ2P023Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDFMJ2P023Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
   Тип корпуса: SC-75MICROFET
 

 Аналог (замена) для FDFMJ2P023Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFMJ2P023Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  fairchild semi
 fdfmj2p023z.pdf pdf_icon

FDFMJ2P023Z

August 2007FDFMJ2P023ZtmIntegrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 20V, 2.9A, 112mFeatures General DescriptionMOSFET This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9Aultra-portable applications. It features a MOSFET with l

Другие MOSFET... FDFMA2P029Z , FDFMA2P853 , FDFMA2P853T , FDFMA2P857 , FDFMA2P859T , FDFMA3N109 , FDFME2P823ZT , FDFME3N311ZT , AO4407 , FDFS2P102 , FDFS2P102A , FDFS2P103 , FDFS2P103A , FDFS2P106A , FDFS2P753AZ , FDFS2P753Z , FDFS6N303 .

History: SSW65R090S2 | AP9576GM-HF | NCE80T900D | AP60T03GJ | CST30N10F | VBM1303 | SI9424DY

 

 
Back to Top

 


 
.