FDG361N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDG361N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: SC70-6

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FDG361N datasheet

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FDG361N

August 2001 FDG361N N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET Features General Description These N-Channel 100V specified MOSFETs are 0.6 A, 100 V. RDS(ON)= 500 m @ VGS = 10 V produced using Fairchild Semiconductor's advanced RDS(ON)= 550 m @ VGS = 6.0 V PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low Low gat

Otros transistores... FDFS2P106A, FDFS2P753AZ, FDFS2P753Z, FDFS6N303, FDFS6N548, FDFS6N754, FDG313ND87Z, FDG329N, 10N65, FDH15N50, FDH27N50, FDH50N50F133, FDH5500, FDI025N06, FDI047AN08A0, FDI2532, FDI33N25