Справочник MOSFET. FDG361N

 

FDG361N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDG361N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SC70-6
 

 Аналог (замена) для FDG361N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDG361N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  fairchild semi
 fdg361n.pdf pdf_icon

FDG361N

August 2001FDG361NN-Channel 100V Specified PowerTrenchMOSFETFeaturesGeneral DescriptionThese N-Channel 100V specified MOSFETs are 0.6 A, 100 V. RDS(ON)= 500 m @ VGS = 10 Vproduced using Fairchild Semiconductor's advancedRDS(ON)= 550 m @ VGS = 6.0 VPowerTrench process that has been especially tailoredto minimize on-state resistance and yet maintain low Low gat

Другие MOSFET... FDFS2P106A , FDFS2P753AZ , FDFS2P753Z , FDFS6N303 , FDFS6N548 , FDFS6N754 , FDG313ND87Z , FDG329N , STP80NF70 , FDH15N50 , FDH27N50 , FDH50N50F133 , FDH5500 , FDI025N06 , FDI047AN08A0 , FDI2532 , FDI33N25 .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | 2SK1280 | CHM5813ESQ2GP | CEP14A04

 

 
Back to Top

 


 
.