Справочник MOSFET. FDG361N

 

FDG361N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDG361N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SC70-6

 Аналог (замена) для FDG361N

 

 

FDG361N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  fairchild semi
 fdg361n.pdf

FDG361N FDG361N

August 2001FDG361NN-Channel 100V Specified PowerTrenchMOSFETFeaturesGeneral DescriptionThese N-Channel 100V specified MOSFETs are 0.6 A, 100 V. RDS(ON)= 500 m @ VGS = 10 Vproduced using Fairchild Semiconductor's advancedRDS(ON)= 550 m @ VGS = 6.0 VPowerTrench process that has been especially tailoredto minimize on-state resistance and yet maintain low Low gat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top