FDG361N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDG361N
Маркировка: ..61
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
Тип корпуса: SC70-6
FDG361N Datasheet (PDF)
..1. Size:78K fairchild semi
fdg361n.pdf
fdg361n.pdf
August 2001FDG361NN-Channel 100V Specified PowerTrenchMOSFETFeaturesGeneral DescriptionThese N-Channel 100V specified MOSFETs are 0.6 A, 100 V. RDS(ON)= 500 m @ VGS = 10 Vproduced using Fairchild Semiconductor's advancedRDS(ON)= 550 m @ VGS = 6.0 VPowerTrench process that has been especially tailoredto minimize on-state resistance and yet maintain low Low gat
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
