Справочник MOSFET. FDG361N

 

FDG361N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDG361N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SC70-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDG361N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  fairchild semi
 fdg361n.pdf pdf_icon

FDG361N

August 2001FDG361NN-Channel 100V Specified PowerTrenchMOSFETFeaturesGeneral DescriptionThese N-Channel 100V specified MOSFETs are 0.6 A, 100 V. RDS(ON)= 500 m @ VGS = 10 Vproduced using Fairchild Semiconductor's advancedRDS(ON)= 550 m @ VGS = 6.0 VPowerTrench process that has been especially tailoredto minimize on-state resistance and yet maintain low Low gat

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: DMC2004LPK | CHM4955JGP | CS8N80A8H | BF862 | FL6L5201 | HTJ440P03 | BUK9MJJ-55PTT

 

 
Back to Top

 


 
.