FDG361N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDG361N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: SC70-6

Аналог (замена) для FDG361N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDG361N даташит

 ..1. Size:78K  fairchild semi
 fdg361n.pdf pdf_icon

FDG361N

August 2001 FDG361N N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET Features General Description These N-Channel 100V specified MOSFETs are 0.6 A, 100 V. RDS(ON)= 500 m @ VGS = 10 V produced using Fairchild Semiconductor's advanced RDS(ON)= 550 m @ VGS = 6.0 V PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low Low gat

Другие IGBT... FDFS2P106A, FDFS2P753AZ, FDFS2P753Z, FDFS6N303, FDFS6N548, FDFS6N754, FDG313ND87Z, FDG329N, 10N65, FDH15N50, FDH27N50, FDH50N50F133, FDH5500, FDI025N06, FDI047AN08A0, FDI2532, FDI33N25