FDH27N50 Todos los transistores

 

FDH27N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDH27N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 409 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

 Búsqueda de reemplazo de FDH27N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDH27N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  fairchild semi
 fdh27n50.pdf pdf_icon

FDH27N50

August 2002FDH27N5027A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETApplications Features Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Require-Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as ment PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward ConverterRuggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converte

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 fdh27n50.pdf pdf_icon

FDH27N50

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH27N50FEATURESDrain Current I = 27A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.19(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Otros transistores... FDFS2P753Z , FDFS6N303 , FDFS6N548 , FDFS6N754 , FDG313ND87Z , FDG329N , FDG361N , FDH15N50 , RFP50N06 , FDH50N50F133 , FDH5500 , FDI025N06 , FDI047AN08A0 , FDI2532 , FDI33N25 , FDI3652 , FDI8442 .

History: SQ4917EY | OSG65R040HT3F

 

 
Back to Top

 


 
.