FDH27N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDH27N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 409 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-247

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FDH27N50 datasheet

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FDH27N50

August 2002 FDH27N50 27A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET Applications Features Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Require- Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as ment PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward Converter Ruggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converte

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
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FDH27N50

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH27N50 FEATURES Drain Current I = 27A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.19 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... FDFS2P753Z, FDFS6N303, FDFS6N548, FDFS6N754, FDG313ND87Z, FDG329N, FDG361N, FDH15N50, RFP50N06, FDH50N50F133, FDH5500, FDI025N06, FDI047AN08A0, FDI2532, FDI33N25, FDI3652, FDI8442