FDH27N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDH27N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 409 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для FDH27N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH27N50 даташит

 ..1. Size:180K  fairchild semi
 fdh27n50.pdf pdf_icon

FDH27N50

August 2002 FDH27N50 27A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET Applications Features Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Require- Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as ment PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward Converter Ruggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converte

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 fdh27n50.pdf pdf_icon

FDH27N50

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH27N50 FEATURES Drain Current I = 27A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.19 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие IGBT... FDFS2P753Z, FDFS6N303, FDFS6N548, FDFS6N754, FDG313ND87Z, FDG329N, FDG361N, FDH15N50, RFP50N06, FDH50N50F133, FDH5500, FDI025N06, FDI047AN08A0, FDI2532, FDI33N25, FDI3652, FDI8442