Справочник MOSFET. FDH27N50

 

FDH27N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDH27N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 409 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для FDH27N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH27N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  fairchild semi
 fdh27n50.pdf pdf_icon

FDH27N50

August 2002FDH27N5027A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETApplications Features Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Require-Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as ment PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward ConverterRuggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converte

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 fdh27n50.pdf pdf_icon

FDH27N50

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH27N50FEATURESDrain Current I = 27A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.19(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... FDFS2P753Z , FDFS6N303 , FDFS6N548 , FDFS6N754 , FDG313ND87Z , FDG329N , FDG361N , FDH15N50 , SKD502T , FDH50N50F133 , FDH5500 , FDI025N06 , FDI047AN08A0 , FDI2532 , FDI33N25 , FDI3652 , FDI8442 .

 

 
Back to Top

 


 
.