FDI025N06 Todos los transistores

 

FDI025N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDI025N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 395 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 265 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 324 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1610 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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FDI025N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  fairchild semi
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FDI025N06

June 2008FDI025N06tmN-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 265A, 2.5mFeatures General Description RDS(on) = 1.9m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process that has been Fast switching speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching p

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
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FDI025N06

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI025N06FEATURESDrain Current I = 265A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... FDFS6N754 , FDG313ND87Z , FDG329N , FDG361N , FDH15N50 , FDH27N50 , FDH50N50F133 , FDH5500 , RU6888R , FDI047AN08A0 , FDI2532 , FDI33N25 , FDI3652 , FDI8442 , FDJ127P , FDJ128N , FDJ128NF077 .

History: IPS60R1K0PFD7S | NCE65N800R

 

 
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