FDI025N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDI025N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 395 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 265 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 226 nC
   Tiempo de subida (tr): 324 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1610 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDI025N06

FDI025N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:543K fairchild semi
fdi025n06.pdf

June 2008FDI025N06tmN-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 265A, 2.5mFeatures General Description RDS(on) = 1.9m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process that has been Fast switching speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching p

..2. Size:255K inchange semiconductor
fdi025n06.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI025N06FEATURESDrain Current I = 265A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

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Liste

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