FDI025N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDI025N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 395 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 265 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 324 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1610 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDI025N06

FDI025N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:543K fairchild semi
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June 2008FDI025N06tmN-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 265A, 2.5mFeatures General Description RDS(on) = 1.9m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process that has been Fast switching speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching p

..2. Size:255K inchange semiconductor
fdi025n06.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI025N06FEATURESDrain Current I = 265A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

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Liste

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