FDI025N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDI025N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 395 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 265 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 324 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1610 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO-262

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FDI025N06 datasheet

 ..1. Size:543K  fairchild semi
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FDI025N06

June 2008 FDI025N06 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 265A, 2.5m Features General Description RDS(on) = 1.9m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process that has been Fast switching speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching p

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
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FDI025N06

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI025N06 FEATURES Drain Current I = 265A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Otros transistores... FDFS6N754, FDG313ND87Z, FDG329N, FDG361N, FDH15N50, FDH27N50, FDH50N50F133, FDH5500, 18N50, FDI047AN08A0, FDI2532, FDI33N25, FDI3652, FDI8442, FDJ127P, FDJ128N, FDJ128NF077