FDI025N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDI025N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 265 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 324 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для FDI025N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDI025N06 даташит

 ..1. Size:543K  fairchild semi
 fdi025n06.pdf pdf_icon

FDI025N06

June 2008 FDI025N06 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 265A, 2.5m Features General Description RDS(on) = 1.9m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process that has been Fast switching speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching p

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 fdi025n06.pdf pdf_icon

FDI025N06

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI025N06 FEATURES Drain Current I = 265A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие IGBT... FDFS6N754, FDG313ND87Z, FDG329N, FDG361N, FDH15N50, FDH27N50, FDH50N50F133, FDH5500, 18N50, FDI047AN08A0, FDI2532, FDI33N25, FDI3652, FDI8442, FDJ127P, FDJ128N, FDJ128NF077