Справочник MOSFET. FDI025N06

 

FDI025N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDI025N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 265 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 324 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1610 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для FDI025N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDI025N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  fairchild semi
 fdi025n06.pdf pdf_icon

FDI025N06

June 2008FDI025N06tmN-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 265A, 2.5mFeatures General Description RDS(on) = 1.9m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process that has been Fast switching speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching p

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 fdi025n06.pdf pdf_icon

FDI025N06

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI025N06FEATURESDrain Current I = 265A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FDFS6N754 , FDG313ND87Z , FDG329N , FDG361N , FDH15N50 , FDH27N50 , FDH50N50F133 , FDH5500 , 75N75 , FDI047AN08A0 , FDI2532 , FDI33N25 , FDI3652 , FDI8442 , FDJ127P , FDJ128N , FDJ128NF077 .

History: AP80SL650AI | 2SK3604-01S

 

 
Back to Top

 


 
.