FDM100-0045SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDM100-0045SP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAC
Búsqueda de reemplazo de FDM100-0045SP MOSFET
FDM100-0045SP Datasheet (PDF)
fdm100-0045sp.pdf

FDM 100-0045SPID25 = 100 ABuck ChopperVDSS = 55 Vwith Trench Power MOSFETRDSon typ. = 5.7 mand Schottky Diodein ISOPLUS i4-PACTM3Preliminary data54125Features MOSFET trench MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings - very low on state resistance RDSon- fast switchingVDSS TVJ = 25C to 150C 55 V Schottky diode- low forward
Otros transistores... FDI2532 , FDI33N25 , FDI3652 , FDI8442 , FDJ127P , FDJ128N , FDJ128NF077 , FDJ129P , RU6888R , FDM21-05QC , FDM606P , FDM6296 , FDMA1430JP , FDMA6676PZ , FDMA86108LZ , FDMA86251 , FDMB506P .
History: LSGE10R080W3 | SPP80N05L | HUF75831SK8T | TD422BL
History: LSGE10R080W3 | SPP80N05L | HUF75831SK8T | TD422BL



Liste
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