FDM100-0045SP Todos los transistores

 

FDM100-0045SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDM100-0045SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAC
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDM100-0045SP Datasheet (PDF)

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FDM100-0045SP

FDM 100-0045SPID25 = 100 ABuck ChopperVDSS = 55 Vwith Trench Power MOSFETRDSon typ. = 5.7 mand Schottky Diodein ISOPLUS i4-PACTM3Preliminary data54125Features MOSFET trench MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings - very low on state resistance RDSon- fast switchingVDSS TVJ = 25C to 150C 55 V Schottky diode- low forward

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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