Справочник MOSFET. FDM100-0045SP

 

FDM100-0045SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDM100-0045SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAC
 

 Аналог (замена) для FDM100-0045SP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM100-0045SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  ixys
 fdm100-0045sp.pdf pdf_icon

FDM100-0045SP

FDM 100-0045SPID25 = 100 ABuck ChopperVDSS = 55 Vwith Trench Power MOSFETRDSon typ. = 5.7 mand Schottky Diodein ISOPLUS i4-PACTM3Preliminary data54125Features MOSFET trench MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings - very low on state resistance RDSon- fast switchingVDSS TVJ = 25C to 150C 55 V Schottky diode- low forward

Другие MOSFET... FDI2532 , FDI33N25 , FDI3652 , FDI8442 , FDJ127P , FDJ128N , FDJ128NF077 , FDJ129P , RU6888R , FDM21-05QC , FDM606P , FDM6296 , FDMA1430JP , FDMA6676PZ , FDMA86108LZ , FDMA86251 , FDMB506P .

History: IRF7811AVPBF-1 | SQ2360EES

 

 
Back to Top

 


 
.