FDM100-0045SP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDM100-0045SP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAC

Аналог (замена) для FDM100-0045SP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM100-0045SP даташит

 ..1. Size:80K  ixys
 fdm100-0045sp.pdf pdf_icon

FDM100-0045SP

FDM 100-0045SP ID25 = 100 A Buck Chopper VDSS = 55 V with Trench Power MOSFET RDSon typ. = 5.7 m and Schottky Diode in ISOPLUS i4-PACTM 3 Preliminary data 5 4 1 2 5 Features MOSFET trench MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings - very low on state resistance RDSon - fast switching VDSS TVJ = 25 C to 150 C 55 V Schottky diode - low forward

Другие IGBT... FDI2532, FDI33N25, FDI3652, FDI8442, FDJ127P, FDJ128N, FDJ128NF077, FDJ129P, AO3400A, FDM21-05QC, FDM606P, FDM6296, FDMA1430JP, FDMA6676PZ, FDMA86108LZ, FDMA86251, FDMB506P