FDM606P Todos los transistores

 

FDM606P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDM606P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.92 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET3X2-8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDM606P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  fairchild semi
 fdm606p.pdf pdf_icon

FDM606P

December 2004FDM606P P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFETGeneral Description FeaturesThis P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Fast switchingSemiconductors advanced PowerTrench process that has rDS(ON) = 0.026 (Typ), VGS = -4.5Vbeen especially tailored to minimize the on-state resistanceand yet maintain low gate charge for superior switching

 9.1. Size:4926K  first semi
 fdm60r65an4g.pdf pdf_icon

FDM606P

FDM60R65AN4GProduct Summary V = 650 VDSID@25oC = 51A R = 59mDS(ON) TO-247-4Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse recovery Hard Switching & H

Otros transistores... FDI3652 , FDI8442 , FDJ127P , FDJ128N , FDJ128NF077 , FDJ129P , FDM100-0045SP , FDM21-05QC , IRFZ48N , FDM6296 , FDMA1430JP , FDMA6676PZ , FDMA86108LZ , FDMA86251 , FDMB506P , FDMC6688P , FDMC8010ET30 .

History: CS16N06AE-G | IXFH20N85X | NCEP090N12AGU | 5N60G-TF2-T

 

 
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