FDM606P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDM606P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.92 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: MICROFET3X2-8

Аналог (замена) для FDM606P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM606P даташит

 ..1. Size:322K  fairchild semi
 fdm606p.pdf pdf_icon

FDM606P

December 2004 FDM606P P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Fast switching Semiconductor s advanced PowerTrench process that has rDS(ON) = 0.026 (Typ), VGS = -4.5V been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching

 9.1. Size:4926K  first semi
 fdm60r65an4g.pdf pdf_icon

FDM606P

FDM60R65AN4G Product Summary V = 650 V DS I D@25oC = 51A R = 59m DS(ON) TO-247-4 Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse recovery Hard Switching & H

Другие IGBT... FDI3652, FDI8442, FDJ127P, FDJ128N, FDJ128NF077, FDJ129P, FDM100-0045SP, FDM21-05QC, STP65NF06, FDM6296, FDMA1430JP, FDMA6676PZ, FDMA86108LZ, FDMA86251, FDMB506P, FDMC6688P, FDMC8010ET30