FDM606P - аналоги и даташиты транзистора

 

FDM606P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDM606P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.92 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET3X2-8
 

 Аналог (замена) для FDM606P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM606P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  fairchild semi
 fdm606p.pdf pdf_icon

FDM606P

December 2004FDM606P P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFETGeneral Description FeaturesThis P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Fast switchingSemiconductors advanced PowerTrench process that has rDS(ON) = 0.026 (Typ), VGS = -4.5Vbeen especially tailored to minimize the on-state resistanceand yet maintain low gate charge for superior switching

 9.1. Size:4926K  first semi
 fdm60r65an4g.pdf pdf_icon

FDM606P

FDM60R65AN4GProduct Summary V = 650 VDSID@25oC = 51A R = 59mDS(ON) TO-247-4Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse recovery Hard Switching & H

Другие MOSFET... FDI3652 , FDI8442 , FDJ127P , FDJ128N , FDJ128NF077 , FDJ129P , FDM100-0045SP , FDM21-05QC , IRF1405 , FDM6296 , FDMA1430JP , FDMA6676PZ , FDMA86108LZ , FDMA86251 , FDMB506P , FDMC6688P , FDMC8010ET30 .

History: FDMA1430JP

 

 
Back to Top

 


 
.