Справочник MOSFET. FDM606P

 

FDM606P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDM606P
   Маркировка: .06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.92 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET3X2-8

 Аналог (замена) для FDM606P

 

 

FDM606P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  fairchild semi
 fdm606p.pdf

FDM606P FDM606P

December 2004FDM606P P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFETGeneral Description FeaturesThis P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Fast switchingSemiconductors advanced PowerTrench process that has rDS(ON) = 0.026 (Typ), VGS = -4.5Vbeen especially tailored to minimize the on-state resistanceand yet maintain low gate charge for superior switching

 9.1. Size:4926K  first semi
 fdm60r65an4g.pdf

FDM606P FDM606P

FDM60R65AN4GProduct Summary V = 650 VDSID@25oC = 51A R = 59mDS(ON) TO-247-4Features Benefits High Blocking Voltage Higher System Efficiency High Frequency Operation Parallel Device Convenience without thermal runaway Low on-resistance High Temperature Application Fast intrinsic diode with low reverse recovery Hard Switching & H

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top