FDM6296 Todos los transistores

 

FDM6296 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDM6296
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWER33
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDM6296 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  fairchild semi
 fdm6296.pdf pdf_icon

FDM6296

January 2007FDM6296tmSingle N-Channel Logic-Level PowerTrench MOSFET 30V,11.5A, 10.5mFeatures General Description Max rDS(on) = 10.5m at VGS = 10V, ID = 11.5AThis single N-channel MOSFET in the thermally efficient MicroFET package has been specifically designed to perform Max rDS(on) = 15m at VGS = 4.5V, ID = 10Awell in Point of Load converters. Providing an optimiz

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History: NTMFS4821NT1G | IXFN64N60P | AP30T10GP-HF | SMP40N10 | IRLHS6276 | IRF624A | WNM3017

 

 
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