FDM6296 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDM6296

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: POWER33

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FDM6296 datasheet

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FDM6296

January 2007 FDM6296 tm Single N-Channel Logic-Level PowerTrench MOSFET 30V,11.5A, 10.5m Features General Description Max rDS(on) = 10.5m at VGS = 10V, ID = 11.5A This single N-channel MOSFET in the thermally efficient MicroFET package has been specifically designed to perform Max rDS(on) = 15m at VGS = 4.5V, ID = 10A well in Point of Load converters. Providing an optimiz

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