FDM6296. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDM6296

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: POWER33

Аналог (замена) для FDM6296

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM6296 даташит

 ..1. Size:209K  fairchild semi
 fdm6296.pdf pdf_icon

FDM6296

January 2007 FDM6296 tm Single N-Channel Logic-Level PowerTrench MOSFET 30V,11.5A, 10.5m Features General Description Max rDS(on) = 10.5m at VGS = 10V, ID = 11.5A This single N-channel MOSFET in the thermally efficient MicroFET package has been specifically designed to perform Max rDS(on) = 15m at VGS = 4.5V, ID = 10A well in Point of Load converters. Providing an optimiz

Другие IGBT... FDI8442, FDJ127P, FDJ128N, FDJ128NF077, FDJ129P, FDM100-0045SP, FDM21-05QC, FDM606P, IRF1405, FDMA1430JP, FDMA6676PZ, FDMA86108LZ, FDMA86251, FDMB506P, FDMC6688P, FDMC8010ET30, FDMC86160ET100