Справочник MOSFET. FDM6296

 

FDM6296 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDM6296
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: POWER33
 

 Аналог (замена) для FDM6296

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM6296 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  fairchild semi
 fdm6296.pdf pdf_icon

FDM6296

January 2007FDM6296tmSingle N-Channel Logic-Level PowerTrench MOSFET 30V,11.5A, 10.5mFeatures General Description Max rDS(on) = 10.5m at VGS = 10V, ID = 11.5AThis single N-channel MOSFET in the thermally efficient MicroFET package has been specifically designed to perform Max rDS(on) = 15m at VGS = 4.5V, ID = 10Awell in Point of Load converters. Providing an optimiz

Другие MOSFET... FDI8442 , FDJ127P , FDJ128N , FDJ128NF077 , FDJ129P , FDM100-0045SP , FDM21-05QC , FDM606P , NCEP15T14 , FDMA1430JP , FDMA6676PZ , FDMA86108LZ , FDMA86251 , FDMB506P , FDMC6688P , FDMC8010ET30 , FDMC86160ET100 .

History: APT6017B2FLLG | 7N60L-TF2-T | RJK03E6DPA | SI3404 | SI7405BDN | AOD442G

 

 
Back to Top

 


 
.