FDMA6676PZ Todos los transistores

 

FDMA6676PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMA6676PZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 477 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET2X2
 

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FDMA6676PZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  fairchild semi
 fdma6676pz.pdf pdf_icon

FDMA6676PZ

February 2015FDMA6676PZSingle P-Channel PowerTrench MOSFET-30 V, -11 A, 13.5 mFeatures General DescriptionThis device is an ultra low resistance P-Channel FET. It is Max rDS(on) = 13.5 m @ VGS = -10 Vdesigned for power line load switching applications and reverse 25V VGS Extended Operating Ratingpolarity protection. It is especially optimized for voltage rails that c

 9.1. Size:361K  fairchild semi
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FDMA6676PZ

June 2009FDMA6023PZTDual P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -3.6 A, 60 mFeatures General Description Max rDS(on) = 60 m at VGS = -4.5 V, ID = -3.6 A This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 80 m at VGS = -2.5 V, ID = -3.0 Aultraportable applications. It features two in

Otros transistores... FDJ128N , FDJ128NF077 , FDJ129P , FDM100-0045SP , FDM21-05QC , FDM606P , FDM6296 , FDMA1430JP , RU7088R , FDMA86108LZ , FDMA86251 , FDMB506P , FDMC6688P , FDMC8010ET30 , FDMC86160ET100 , FDMC86260ET150 , FDMC86262P .

History: FDD45AN06LA0F085 | PHU101NQ03LT | MTP5103J3 | DH50N06FZC | CTD03N8P5 | PE5F7EA | FQP5N80

 

 
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