FDMA6676PZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMA6676PZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 477 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: MICROFET2X2

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FDMA6676PZ datasheet

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FDMA6676PZ

February 2015 FDMA6676PZ Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30 V, -11 A, 13.5 m Features General Description This device is an ultra low resistance P-Channel FET. It is Max rDS(on) = 13.5 m @ VGS = -10 V designed for power line load switching applications and reverse 25V VGS Extended Operating Rating polarity protection. It is especially optimized for voltage rails that c

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FDMA6676PZ

June 2009 FDMA6023PZT Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -3.6 A, 60 m Features General Description Max rDS(on) = 60 m at VGS = -4.5 V, ID = -3.6 A This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 80 m at VGS = -2.5 V, ID = -3.0 A ultraportable applications. It features two in

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