Справочник MOSFET. FDMA6676PZ

 

FDMA6676PZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDMA6676PZ
   Маркировка: 675
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 477 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET2X2

 Аналог (замена) для FDMA6676PZ

 

 

FDMA6676PZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  fairchild semi
 fdma6676pz.pdf

FDMA6676PZ FDMA6676PZ

February 2015FDMA6676PZSingle P-Channel PowerTrench MOSFET-30 V, -11 A, 13.5 mFeatures General DescriptionThis device is an ultra low resistance P-Channel FET. It is Max rDS(on) = 13.5 m @ VGS = -10 Vdesigned for power line load switching applications and reverse 25V VGS Extended Operating Ratingpolarity protection. It is especially optimized for voltage rails that c

 9.1. Size:361K  fairchild semi
 fdma6023pzt.pdf

FDMA6676PZ FDMA6676PZ

June 2009FDMA6023PZTDual P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -3.6 A, 60 mFeatures General Description Max rDS(on) = 60 m at VGS = -4.5 V, ID = -3.6 A This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 80 m at VGS = -2.5 V, ID = -3.0 Aultraportable applications. It features two in

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top