FDMB506P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMB506P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 351 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: MICROFET3X1.9

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FDMB506P datasheet

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FDMB506P

December 2005 FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild 6.8 A, 20V. RDS(ON) = 30 m @ VGS = 4.5V Semiconductor s advanced PowerTrench process that RDS(ON) = 38 m @ VGS = 2.5V has been especially tailored to minimize the on-state RDS(ON) = 70 m @ VGS = 1.

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