FDMB506P Todos los transistores

 

FDMB506P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMB506P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 351 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET3X1.9
 

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FDMB506P Datasheet (PDF)

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FDMB506P

December 2005 FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild 6.8 A, 20V. RDS(ON) = 30 m @ VGS = 4.5V Semiconductors advanced PowerTrench process that RDS(ON) = 38 m @ VGS = 2.5V has been especially tailored to minimize the on-state RDS(ON) = 70 m @ VGS = 1.

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