Справочник MOSFET. FDMB506P

 

FDMB506P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDMB506P
   Маркировка: 506
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 351 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET3X1.9

 Аналог (замена) для FDMB506P

 

 

FDMB506P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  fairchild semi
 fdmb506p.pdf

FDMB506P FDMB506P

December 2005 FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild 6.8 A, 20V. RDS(ON) = 30 m @ VGS = 4.5V Semiconductors advanced PowerTrench process that RDS(ON) = 38 m @ VGS = 2.5V has been especially tailored to minimize the on-state RDS(ON) = 70 m @ VGS = 1.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top