FDMB506P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDMB506P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 351 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: MICROFET3X1.9

Аналог (замена) для FDMB506P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMB506P даташит

 ..1. Size:212K  fairchild semi
 fdmb506p.pdf pdf_icon

FDMB506P

December 2005 FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild 6.8 A, 20V. RDS(ON) = 30 m @ VGS = 4.5V Semiconductor s advanced PowerTrench process that RDS(ON) = 38 m @ VGS = 2.5V has been especially tailored to minimize the on-state RDS(ON) = 70 m @ VGS = 1.

Другие IGBT... FDM100-0045SP, FDM21-05QC, FDM606P, FDM6296, FDMA1430JP, FDMA6676PZ, FDMA86108LZ, FDMA86251, IRLB3034, FDMC6688P, FDMC8010ET30, FDMC86160ET100, FDMC86260ET150, FDMC86262P, FDMC86340ET80, FDMC86570LET60, FDMC8676