Справочник MOSFET. FDMB506P

 

FDMB506P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDMB506P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 351 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET3X1.9
 

 Аналог (замена) для FDMB506P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMB506P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  fairchild semi
 fdmb506p.pdf pdf_icon

FDMB506P

December 2005 FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild 6.8 A, 20V. RDS(ON) = 30 m @ VGS = 4.5V Semiconductors advanced PowerTrench process that RDS(ON) = 38 m @ VGS = 2.5V has been especially tailored to minimize the on-state RDS(ON) = 70 m @ VGS = 1.

Другие MOSFET... FDM100-0045SP , FDM21-05QC , FDM606P , FDM6296 , FDMA1430JP , FDMA6676PZ , FDMA86108LZ , FDMA86251 , 60N06 , FDMC6688P , FDMC8010ET30 , FDMC86160ET100 , FDMC86260ET150 , FDMC86262P , FDMC86340ET80 , FDMC86570LET60 , FDMC8676 .

History: AOSS32128 | 10N60G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.