FDME0106NZT Todos los transistores

 

FDME0106NZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDME0106NZT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET1.6X1.6THIN
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDME0106NZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  fairchild semi
 fdme0106nzt.pdf pdf_icon

FDME0106NZT

February 2012FDME0106NZTN-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 9 A, 18 mFeatures General Description Max rDS(on) = 18 m at VGS = 4.5 V, ID = 9 AThis Single N-Channel MOSFET has been designed usingFairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 24 m at VGS = 2.5 V, ID = 7.5 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 32

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History: IPT026N10N5 | HSCB2307 | AONS420A60 | SSM09N90CGW | FQU8P10 | AP4506GEM | SQD100N03-3M2L

 

 
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