Справочник MOSFET. FDME0106NZT

 

FDME0106NZT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDME0106NZT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET1.6X1.6THIN
 

 Аналог (замена) для FDME0106NZT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDME0106NZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  fairchild semi
 fdme0106nzt.pdf pdf_icon

FDME0106NZT

February 2012FDME0106NZTN-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 9 A, 18 mFeatures General Description Max rDS(on) = 18 m at VGS = 4.5 V, ID = 9 AThis Single N-Channel MOSFET has been designed usingFairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 24 m at VGS = 2.5 V, ID = 7.5 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 32

Другие MOSFET... FDMC86262P , FDMC86340ET80 , FDMC86570LET60 , FDMC8676 , FDMC8678S , FDMD85100 , FDMD86100 , FDMD8900 , BS170 , FDMS0308CS , FDMS8050ET30 , FDMS86150ET100 , FDMS86202ET120 , FDMS86255ET150 , FDMS86350ET80 , FDMS86369F085 , FDMS86550ET60 .

History: AFN3414S | HCP12NK65V

 

 
Back to Top

 


 
.