FDME0106NZT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDME0106NZT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: MICROFET1.6X1.6THIN

Аналог (замена) для FDME0106NZT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDME0106NZT даташит

 ..1. Size:260K  fairchild semi
 fdme0106nzt.pdf pdf_icon

FDME0106NZT

February 2012 FDME0106NZT N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 9 A, 18 m Features General Description Max rDS(on) = 18 m at VGS = 4.5 V, ID = 9 A This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 24 m at VGS = 2.5 V, ID = 7.5 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 32

Другие IGBT... FDMC86262P, FDMC86340ET80, FDMC86570LET60, FDMC8676, FDMC8678S, FDMD85100, FDMD86100, FDMD8900, IRF730, FDMS0308CS, FDMS8050ET30, FDMS86150ET100, FDMS86202ET120, FDMS86255ET150, FDMS86350ET80, FDMS86369F085, FDMS86550ET60