FDP14AN06LA0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP14AN06LA0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 169 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0116 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

 Búsqueda de reemplazo de FDP14AN06LA0 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDP14AN06LA0 datasheet

 ..1. Size:247K  fairchild semi
 fdb14an06la0 fdp14an06la0.pdf pdf_icon

FDP14AN06LA0

January 2004 FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6m Features Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pu

 9.1. Size:483K  fairchild semi
 fdp14n30 fdpf14n30.pdf pdf_icon

FDP14AN06LA0

February 2007 TM UniFET FDP14N30 / FDPF14N30 300V N-Channel MOSFET Features Description 14A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 18 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF) This advanced technology has been especiall

Otros transistores... FDMT800152DC, FDN336P-NL, FDN359BNF095, FDN86501LZ, FDP020N06BF102, FDP10AN06A0, FDP120AN15A0, FDP13AN06A0, AON7408, FDP15N50, FDP15N65, FDP16N50, FDP20AN06A0, FDP24AN06LA0, FDP2570, FDP2670, FDP3205