FDP14AN06LA0 Todos los transistores

 

FDP14AN06LA0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP14AN06LA0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 169 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0116 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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FDP14AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  fairchild semi
 fdb14an06la0 fdp14an06la0.pdf pdf_icon

FDP14AN06LA0

January 2004FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 60A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pu

 9.1. Size:483K  fairchild semi
 fdp14n30 fdpf14n30.pdf pdf_icon

FDP14AN06LA0

February 2007TMUniFETFDP14N30 / FDPF14N30300V N-Channel MOSFETFeatures Description 14A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 18 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF)This advanced technology has been especiall

Otros transistores... FDMT800152DC , FDN336P-NL , FDN359BNF095 , FDN86501LZ , FDP020N06BF102 , FDP10AN06A0 , FDP120AN15A0 , FDP13AN06A0 , AON7408 , FDP15N50 , FDP15N65 , FDP16N50 , FDP20AN06A0 , FDP24AN06LA0 , FDP2570 , FDP2670 , FDP3205 .

History: OSG65R380KSF | IRFI9520N | SWJ7N70K | PSMN4R6-60PS | STRH8N10 | STP4NB50 | SQ1912AEEH

 

 
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