Справочник MOSFET. FDP14AN06LA0

 

FDP14AN06LA0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP14AN06LA0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 169 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0116 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для FDP14AN06LA0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP14AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  fairchild semi
 fdb14an06la0 fdp14an06la0.pdf pdf_icon

FDP14AN06LA0

January 2004FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 60A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pu

 9.1. Size:483K  fairchild semi
 fdp14n30 fdpf14n30.pdf pdf_icon

FDP14AN06LA0

February 2007TMUniFETFDP14N30 / FDPF14N30300V N-Channel MOSFETFeatures Description 14A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 18 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF)This advanced technology has been especiall

Другие MOSFET... FDMT800152DC , FDN336P-NL , FDN359BNF095 , FDN86501LZ , FDP020N06BF102 , FDP10AN06A0 , FDP120AN15A0 , FDP13AN06A0 , 2N7000 , FDP15N50 , FDP15N65 , FDP16N50 , FDP20AN06A0 , FDP24AN06LA0 , FDP2570 , FDP2670 , FDP3205 .

History: DH100P40 | NCE6005AN | HY1607V | JCS7N65CB | HMS28N65D | 10N65KG-TA3-T | GP1M009A090N

 

 
Back to Top

 


 
.