FDP16N50 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDP16N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP16N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FDP16N50 datasheet

..1. Size:432K fairchild semi
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April 2007 TM UniFET FDP16N50 / FDPF16N50 500V N-Channel MOSFET Features Description 16A, 500V, RDS(on) = 0.38 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 32 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially t

..2. Size:464K fairchild semi
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0.1. Size:241K fairchild semi
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October 2009 UniFETTM FDP16N50U / FDPF16N50UT tm N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 15A, 0.48 Features Description RDS(on) = 0.37 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 7.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 32nC) DMOS technology. Low Crss ( Typ. 20pF) This advance tech

9.1. Size:267K fairchild semi
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July 2002 FDP16AN08A0 / FDB16AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 58A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capab

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