Справочник MOSFET. FDP16N50

 

FDP16N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP16N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FDP16N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP16N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  fairchild semi
fdp16n50.pdfpdf_icon

FDP16N50

April 2007TMUniFETFDP16N50 / FDPF16N50500V N-Channel MOSFETFeatures Description 16A, 500V, RDS(on) = 0.38 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 32 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially t

 ..2. Size:464K  fairchild semi
fdp16n50 fdpf16n50.pdfpdf_icon

FDP16N50

April 2007TMUniFETFDP16N50 / FDPF16N50500V N-Channel MOSFETFeatures Description 16A, 500V, RDS(on) = 0.38 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 32 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially t

 0.1. Size:241K  fairchild semi
fdp16n50u fdpf16n50ut.pdfpdf_icon

FDP16N50

October 2009UniFETTMFDP16N50U / FDPF16N50UTtmN-Channel MOSFET, FRFET500V, 15A, 0.48Features Description RDS(on) = 0.37 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 7.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 32nC)DMOS technology. Low Crss ( Typ. 20pF)This advance tech

 9.1. Size:267K  fairchild semi
fdp16an08a0 fdb16an08a0.pdfpdf_icon

FDP16N50

July 2002FDP16AN08A0 / FDB16AN08A0N-Channel PowerTrench MOSFET75V, 58A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 58A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capab

Другие MOSFET... FDN86501LZ , FDP020N06BF102 , FDP10AN06A0 , FDP120AN15A0 , FDP13AN06A0 , FDP14AN06LA0 , FDP15N50 , FDP15N65 , K4145 , FDP20AN06A0 , FDP24AN06LA0 , FDP2570 , FDP2670 , FDP3205 , FDP5500 , FDP5645 , FDP5N50 .

History: NVTR4502P | 2SK1733 | 2SK2030 | SEFY340CSTX

 

 
Back to Top

 


 
.