FDP20AN06A0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP20AN06A0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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FDP20AN06A0 datasheet

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FDP20AN06A0

October 2007 UniFETTM FDP20N50F / FDPF20N50FT tm N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 20A, 0.26 Features RDS(on) = 0.22 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 10A Description Low gate charge ( Typ. 50nC) These N-Channel enhancement mode power field effect transis- Low Crss ( Typ. 27pF) tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Fast reve

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FDP20AN06A0

October 2002 FDH20N40 / FDP20N40 20A, 400V, 0.216 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET Applications Features Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward Converter Ruggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyb

Otros transistores... FDP020N06BF102, FDP10AN06A0, FDP120AN15A0, FDP13AN06A0, FDP14AN06LA0, FDP15N50, FDP15N65, FDP16N50, IRF9540N, FDP24AN06LA0, FDP2570, FDP2670, FDP3205, FDP5500, FDP5645, FDP5N50, FDP75N08