FDP20AN06A0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP20AN06A0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для FDP20AN06A0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP20AN06A0 даташит

 ..1. Size:613K  fairchild semi
fdb20an06a0 fdp20an06a0.pdfpdf_icon

FDP20AN06A0

 ..2. Size:617K  fairchild semi
fdb20an06a0 fdp20an06a0.pdfpdf_icon

FDP20AN06A0

 9.1. Size:838K  fairchild semi
fdp20n50f fdpf20n50ft.pdfpdf_icon

FDP20AN06A0

October 2007 UniFETTM FDP20N50F / FDPF20N50FT tm N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 20A, 0.26 Features RDS(on) = 0.22 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 10A Description Low gate charge ( Typ. 50nC) These N-Channel enhancement mode power field effect transis- Low Crss ( Typ. 27pF) tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Fast reve

 9.2. Size:150K  fairchild semi
fdh20n40 fdp20n40.pdfpdf_icon

FDP20AN06A0

October 2002 FDH20N40 / FDP20N40 20A, 400V, 0.216 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET Applications Features Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward Converter Ruggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyb

Другие IGBT... FDP020N06BF102, FDP10AN06A0, FDP120AN15A0, FDP13AN06A0, FDP14AN06LA0, FDP15N50, FDP15N65, FDP16N50, IRF9540N, FDP24AN06LA0, FDP2570, FDP2670, FDP3205, FDP5500, FDP5645, FDP5N50, FDP75N08