FDP24AN06LA0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP24AN06LA0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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FDP24AN06LA0 datasheet

 ..1. Size:245K  fairchild semi
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FDP24AN06LA0

January 2004 FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24m Features Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 9.1. Size:296K  fairchild semi
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FDP24AN06LA0

December 2007 UniFETTM FDP24N40 / FDPF24N40 N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175 Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 46nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 25pF) This advanced technology has b

 9.2. Size:1516K  onsemi
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FDP24AN06LA0

Otros transistores... FDP10AN06A0, FDP120AN15A0, FDP13AN06A0, FDP14AN06LA0, FDP15N50, FDP15N65, FDP16N50, FDP20AN06A0, IRF4905, FDP2570, FDP2670, FDP3205, FDP5500, FDP5645, FDP5N50, FDP75N08, FDP79N15