Справочник MOSFET. FDP24AN06LA0

 

FDP24AN06LA0 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDP24AN06LA0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 101 ns
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для FDP24AN06LA0

 

 

FDP24AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  fairchild semi
fdb24an06la0 fdp24an06la0.pdf

FDP24AN06LA0 FDP24AN06LA0

January 2004FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 36A, 24mFeatures Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 9.1. Size:296K  fairchild semi
fdp24n40 fdpf24n40.pdf

FDP24AN06LA0 FDP24AN06LA0

December 2007UniFETTMFDP24N40 / FDPF24N40N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 46nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 25pF)This advanced technology has b

 9.2. Size:1516K  onsemi
fdp24n40.pdf

FDP24AN06LA0 FDP24AN06LA0

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top