FDP24AN06LA0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP24AN06LA0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для FDP24AN06LA0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP24AN06LA0 даташит

 ..1. Size:245K  fairchild semi
 fdb24an06la0 fdp24an06la0.pdf pdf_icon

FDP24AN06LA0

January 2004 FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24m Features Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 9.1. Size:296K  fairchild semi
 fdp24n40 fdpf24n40.pdf pdf_icon

FDP24AN06LA0

December 2007 UniFETTM FDP24N40 / FDPF24N40 N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175 Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 46nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 25pF) This advanced technology has b

 9.2. Size:1516K  onsemi
 fdp24n40.pdf pdf_icon

FDP24AN06LA0

Другие IGBT... FDP10AN06A0, FDP120AN15A0, FDP13AN06A0, FDP14AN06LA0, FDP15N50, FDP15N65, FDP16N50, FDP20AN06A0, IRF4905, FDP2570, FDP2670, FDP3205, FDP5500, FDP5645, FDP5N50, FDP75N08, FDP79N15