Справочник MOSFET. FDP24AN06LA0

 

FDP24AN06LA0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP24AN06LA0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для FDP24AN06LA0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP24AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  fairchild semi
 fdb24an06la0 fdp24an06la0.pdf pdf_icon

FDP24AN06LA0

January 2004FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 36A, 24mFeatures Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 9.1. Size:296K  fairchild semi
 fdp24n40 fdpf24n40.pdf pdf_icon

FDP24AN06LA0

December 2007UniFETTMFDP24N40 / FDPF24N40N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 46nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 25pF)This advanced technology has b

 9.2. Size:1516K  onsemi
 fdp24n40.pdf pdf_icon

FDP24AN06LA0

Другие MOSFET... FDP10AN06A0 , FDP120AN15A0 , FDP13AN06A0 , FDP14AN06LA0 , FDP15N50 , FDP15N65 , FDP16N50 , FDP20AN06A0 , IRF4905 , FDP2570 , FDP2670 , FDP3205 , FDP5500 , FDP5645 , FDP5N50 , FDP75N08 , FDP79N15 .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | PD696BA | HGN080N10SL | 7409B | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.