FDP3205 Todos los transistores

 

FDP3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP3205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 147 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de FDP3205 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDP3205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  fairchild semi
fdp3205.pdf pdf_icon

FDP3205

May 2008FDP3205N-Channel PowerTrench MOSFET 55V, 100A, 7.5mFeatures Description RDS(on) = 6.1m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 59A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has High performance trench technology for extermly low RDS(on) been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maint

Otros transistores... FDP14AN06LA0 , FDP15N50 , FDP15N65 , FDP16N50 , FDP20AN06A0 , FDP24AN06LA0 , FDP2570 , FDP2670 , SPP20N60C3 , FDP5500 , FDP5645 , FDP5N50 , FDP75N08 , FDP79N15 , FDP8441F085 , FDP8442 , FDP8443 .

History: CSBF30 | IPD90N06S4L-05 | SM4303PSK | CJQ4459 | CEU02N65A | SM4132T9RL | AON7462

 

 
Back to Top

 


 
.