FDP3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDP3205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 147 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de FDP3205 MOSFET
FDP3205 Datasheet (PDF)
fdp3205.pdf

May 2008FDP3205N-Channel PowerTrench MOSFET 55V, 100A, 7.5mFeatures Description RDS(on) = 6.1m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 59A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has High performance trench technology for extermly low RDS(on) been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maint
Otros transistores... FDP14AN06LA0 , FDP15N50 , FDP15N65 , FDP16N50 , FDP20AN06A0 , FDP24AN06LA0 , FDP2570 , FDP2670 , SPP20N60C3 , FDP5500 , FDP5645 , FDP5N50 , FDP75N08 , FDP79N15 , FDP8441F085 , FDP8442 , FDP8443 .
History: CSBF30 | IPD90N06S4L-05 | SM4303PSK | CJQ4459 | CEU02N65A | SM4132T9RL | AON7462
History: CSBF30 | IPD90N06S4L-05 | SM4303PSK | CJQ4459 | CEU02N65A | SM4132T9RL | AON7462



Liste
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