FDP3205 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDP3205 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDP3205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 147 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FDP3205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP3205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  fairchild semi
 fdp3205.pdf pdf_icon

FDP3205

May 2008FDP3205N-Channel PowerTrench MOSFET 55V, 100A, 7.5mFeatures Description RDS(on) = 6.1m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 59A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has High performance trench technology for extermly low RDS(on) been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maint

Другие MOSFET... FDP14AN06LA0 , FDP15N50 , FDP15N65 , FDP16N50 , FDP20AN06A0 , FDP24AN06LA0 , FDP2570 , FDP2670 , 12N60 , FDP5500 , FDP5645 , FDP5N50 , FDP75N08 , FDP79N15 , FDP8441F085 , FDP8442 , FDP8443 .

History: NCEP026N10 | AP65SL380BR | AP9920GEO

 

 
Back to Top

 


 
.