FDP3205. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 147 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FDP3205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP3205 даташит

 ..1. Size:395K  fairchild semi
 fdp3205.pdf pdf_icon

FDP3205

May 2008 FDP3205 N-Channel PowerTrench MOSFET 55V, 100A, 7.5m Features Description RDS(on) = 6.1m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 59A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process that has High performance trench technology for extermly low RDS(on) been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maint

Другие IGBT... FDP14AN06LA0, FDP15N50, FDP15N65, FDP16N50, FDP20AN06A0, FDP24AN06LA0, FDP2570, FDP2670, K3569, FDP5500, FDP5645, FDP5N50, FDP75N08, FDP79N15, FDP8441F085, FDP8442, FDP8443