FDP75N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP75N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 137 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 212 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 738 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FDP75N08 datasheet

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FDP75N08

July 2006 TM UniFET FDP75N08A 75V N-Channel MOSFET Features Description 75A, 75V, RDS(on) = 0.011 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 145nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 86pF) This advanced technology has been especially tailored to

 0.1. Size:1266K  onsemi
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FDP75N08

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FDP20AN06A0, FDP24AN06LA0, FDP2570, FDP2670, FDP3205, FDP5500, FDP5645, FDP5N50, SKD502T, FDP79N15, FDP8441F085, FDP8442, FDP8443, FDP8878, FDP8N50NZU, FDPC5018SG, FDPC5030SG