FDP75N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP75N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 137 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 212 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 738 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FDP75N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP75N08 даташит

 ..1. Size:626K  fairchild semi
 fdp75n08 fdp75n08a.pdf pdf_icon

FDP75N08

July 2006 TM UniFET FDP75N08A 75V N-Channel MOSFET Features Description 75A, 75V, RDS(on) = 0.011 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 145nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 86pF) This advanced technology has been especially tailored to

 0.1. Size:1266K  onsemi
 fdp75n08a.pdf pdf_icon

FDP75N08

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FDP20AN06A0, FDP24AN06LA0, FDP2570, FDP2670, FDP3205, FDP5500, FDP5645, FDP5N50, SKD502T, FDP79N15, FDP8441F085, FDP8442, FDP8443, FDP8878, FDP8N50NZU, FDPC5018SG, FDPC5030SG