FDP75N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDP75N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 137 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 80 nC
Время нарастания (tr): 212 ns
Выходная емкость (Cd): 738 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FDP75N08 Datasheet (PDF)
fdp75n08 fdp75n08a.pdf
July 2006 TMUniFETFDP75N08A75V N-Channel MOSFETFeatures Description 75A, 75V, RDS(on) = 0.011 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 145nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 86pF)This advanced technology has been especially tailored to
fdp75n08a.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
