FDP79N15 Todos los transistores

 

FDP79N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP79N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 463 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de FDP79N15 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDP79N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  fairchild semi
 fdp79n15 fdpf79n15.pdf pdf_icon

FDP79N15

April 2007 TMUniFETFDP79N15 / FDPF79N15 150V N-Channel MOSFETFeatures Description 79A, 150V, RDS(on) = 0.03 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 56 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low Crss ( typical 96pF) stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced technology ha

Otros transistores... FDP24AN06LA0 , FDP2570 , FDP2670 , FDP3205 , FDP5500 , FDP5645 , FDP5N50 , FDP75N08 , IRFB3607 , FDP8441F085 , FDP8442 , FDP8443 , FDP8878 , FDP8N50NZU , FDPC5018SG , FDPC5030SG , FDPF12N35 .

History: 7N65KG-TM3-T | BUK9K20-80E

 

 
Back to Top

 


 
.