FDP79N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP79N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 463 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FDP79N15 datasheet

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FDP79N15

April 2007 TM UniFET FDP79N15 / FDPF79N15 150V N-Channel MOSFET Features Description 79A, 150V, RDS(on) = 0.03 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 56 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low Crss ( typical 96pF) stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology ha

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