FDP79N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP79N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FDP79N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP79N15 даташит

 ..1. Size:395K  fairchild semi
 fdp79n15 fdpf79n15.pdf pdf_icon

FDP79N15

April 2007 TM UniFET FDP79N15 / FDPF79N15 150V N-Channel MOSFET Features Description 79A, 150V, RDS(on) = 0.03 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 56 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low Crss ( typical 96pF) stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology ha

Другие IGBT... FDP24AN06LA0, FDP2570, FDP2670, FDP3205, FDP5500, FDP5645, FDP5N50, FDP75N08, K4145, FDP8441F085, FDP8442, FDP8443, FDP8878, FDP8N50NZU, FDPC5018SG, FDPC5030SG, FDPF12N35