Справочник MOSFET. FDP79N15

 

FDP79N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP79N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FDP79N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP79N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  fairchild semi
 fdp79n15 fdpf79n15.pdf pdf_icon

FDP79N15

April 2007 TMUniFETFDP79N15 / FDPF79N15 150V N-Channel MOSFETFeatures Description 79A, 150V, RDS(on) = 0.03 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 56 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low Crss ( typical 96pF) stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced technology ha

Другие MOSFET... FDP24AN06LA0 , FDP2570 , FDP2670 , FDP3205 , FDP5500 , FDP5645 , FDP5N50 , FDP75N08 , IRFB3607 , FDP8441F085 , FDP8442 , FDP8443 , FDP8878 , FDP8N50NZU , FDPC5018SG , FDPC5030SG , FDPF12N35 .

History: MMBFJ111 | STP30NF20 | CMPDM7002AE

 

 
Back to Top

 


 
.