FDP79N15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDP79N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 463 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 79 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 56 nC
Время нарастания (tr): 200 ns
Выходная емкость (Cd): 730 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FDP79N15 Datasheet (PDF)
..1. Size:395K fairchild semi
fdp79n15 fdpf79n15.pdf
fdp79n15 fdpf79n15.pdf
April 2007 TMUniFETFDP79N15 / FDPF79N15 150V N-Channel MOSFETFeatures Description 79A, 150V, RDS(on) = 0.03 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 56 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low Crss ( typical 96pF) stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced technology ha
Другие MOSFET... FDP24AN06LA0 , FDP2570 , FDP2670 , FDP3205 , FDP5500 , FDP5645 , FDP5N50 , FDP75N08 , IRF4905 , FDP8441F085 , FDP8442 , FDP8443 , FDP8878 , FDP8N50NZU , FDPC5018SG , FDPC5030SG , FDPF12N35 .
