FDR6580 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDR6580

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: SSOT-8

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FDR6580 datasheet

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FDR6580

April 1999 ADVANCE INFORMATION FDR6580 N-Chennal 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET General Description Features This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using 11 A, 20 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 4.5 V Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 2.5 V. that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and ye

Otros transistores... FDPF14N30T, FDPF15N65YDTU, FDPF18N20F, FDPF52N20T, FDPF79N15, FDPF7N50, FDPF7N50F, FDPF8N50NZT, IRFP250, FDR6674A, FDR840P, FDR842P, FDR844P, FDS2070N3, FDS2070N7, FDS2170N3, FDS2170N7