FDR6580 Todos los transistores

 

FDR6580 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDR6580
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-8
 

 Búsqueda de reemplazo de FDR6580 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDR6580 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  fairchild semi
 fdr6580.pdf pdf_icon

FDR6580

April 1999ADVANCE INFORMATIONFDR6580N-Chennal 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using 11 A, 20 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 4.5 VFairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 2.5 V.that has been especially tailored to minimize the on-stateresistance and ye

Otros transistores... FDPF14N30T , FDPF15N65YDTU , FDPF18N20F , FDPF52N20T , FDPF79N15 , FDPF7N50 , FDPF7N50F , FDPF8N50NZT , IRFP250 , FDR6674A , FDR840P , FDR842P , FDR844P , FDS2070N3 , FDS2070N7 , FDS2170N3 , FDS2170N7 .

History: FDPF7N50F | VBE165R10 | OSG65R650A | OSG65R760AF | STN2300A | FDPF12N35

 

 
Back to Top

 


 
.