FDR6580 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDR6580
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: SSOT-8

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FDR6580 Datasheet (PDF)

..1. Size:238K fairchild semi
fdr6580.pdf

April 1999ADVANCE INFORMATIONFDR6580N-Chennal 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using 11 A, 20 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 4.5 VFairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 2.5 V.that has been especially tailored to minimize the on-stateresistance and ye

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History: IXFA8N85XHV

Liste

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